ATOM-SELECTIVE IMAGING OF THE GAAS(110) SURFACE
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DOI：
10.1103/physrevlett.58.1192
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发表时间：
1987-03-23
影响因子：
8.6
通讯作者：
FEIN, AP
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
FEENSTRA, RM;STROSCIO, JA;FEIN, AP
我们首次报道了化合物半导体GaAs（110）表面的电压依赖扫描隧道显微镜图像。根据偏置电压，图像显示仅Ga原子或仅As原子。通过结合电压依赖性图像与理论计算，我们定量地确定表面结构参数，不能单独从图像推断。
We report the first voltage-dependent scanning tunneling microscope images of a compound semiconductor surface, GaAs (110). Images show either only Ga atoms, or only As atoms, depending on the bias voltage. By combining voltage-dependent images with theoretical calculations, we quantitatively determine surface structural parameters which cannot be inferred from the images alone.