Room-Temperature Operation of 2.4 mu m InGaAsSb/AlGaAsSb Quantum-Well Laser Diodes with Low-Threshold Current Density
Room-Temperature Operation of 2.4 mu m InGaAsSb/AlGaAsSb Quantum-Well Laser Diodes with Low-Threshold Current Density
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低阈值电流密度 2.4 μm InGaAsSb/AlGaAsSb 量子阱激光二极管的室温工作
DOI：
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发表时间：
2014
影响因子：
3.5
通讯作者：
Niu Zhi-Chuan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xu Ying-Qiang;Wang Guo-Wei;Ren Zheng-Wei;Niu Zhi-Chuan
