S. Shikata, S. Fukuu, L. Wei and S. Tanigawa: "Effect of annealing method on vacancy‐type defects in Si^+‐implanted GaAs studied by a slow positron beam" Jpn. J. Appl. Phys.31. 732-736 (1992)
S. Shikata, S. Fukuu, L. Wei and S. Tanigawa: "Effect of annealing method on vacancy‐type defects in Si^+‐implanted GaAs studied by a slow positron beam" Jpn. J. Appl. Phys.31. 732-736 (1992)
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S. Shikata、S. Fukuu、L. Wei 和 S. Tanikawa：“通过慢正电子束研究退火方法对 Si^+ 注入 GaAs 中空位型缺陷的影响”J. Appl.31。 732-736 (1992)
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