Shockley-Read-Hall Lifetime in Homoepitaxial p-GaN Extracted from Recombination Current in GaN p-n+ Junction Diodes
Shockley-Read-Hall Lifetime in Homoepitaxial p-GaN Extracted from Recombination Current in GaN p-n+ Junction Diodes
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从 GaN p-n 结二极管的复合电流中提取的同质外延 p-GaN 的肖克利雷德霍尔寿命
DOI：
10.7567/1347-4065/ab07ad
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发表时间：
2019
影响因子：
1.5
通讯作者：
M. Horita and J. Suda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Maeda;T. Narita;H. Ueda;M. Kanechika;T. Uesugi;T. Kachi;T. Kimoto;M. Horita and J. Suda
