p‐Type Semiconducting GeSe Combs by a Vaporization–Condensation–Recrystallization (VCR) Process
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DOI：
10.1002/adma.200903719
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发表时间：
2010-05
影响因子：
29.4
通讯作者：
Seok Min Yoon;H. Song;H. Choi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Seok Min Yoon;H. Song;H. Choi
