Rate Determining Process and Loading Effects in Si Etching with HCl Gas
Rate Determining Process and Loading Effects in Si Etching with HCl Gas
复制标题
HCl 气体蚀刻硅的速率确定过程和负载效应
DOI：
--
复制
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Tsunenobu Kimoto
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Naoya Morioka;Jun Suda;Tsunenobu Kimoto
