アンドープGaAs/n-type GaAsエピタキシャル構造における縦光学フォノンのRaman散乱分光とテラヘルツ電磁波発生

アンドープGaAs/n-type GaAsエピタキシャル構造における縦光学フォノンのRaman散乱分光とテラヘルツ電磁波発生
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无掺杂 GaAs/n 型 GaAs 外延结构中纵向光学声子的拉曼散射光谱和太赫兹电磁波的产生

DOI:
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发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
中山正昭
中山正昭
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
竹内日出雄;浅井聡太;鶴田修一;中山正昭

文献摘要

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