Reduction of Mg segregation in a metalorganic vapor phase epitaxially grown GaN layer by a low-temperature AIN interlayer
Reduction of Mg segregation in a metalorganic vapor phase epitaxially grown GaN layer by a low-temperature AIN interlayer
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通过低温 AlN 中间层减少金属有机气相外延生长 GaN 层中的 Mg 偏析
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Tomita;他
影响因子：
3.2
作者：
Hashizume, T
通讯作者：
Hashizume, T