OUTDIFFUSION THROUGH SILICON OXIDE AND SILICON NITRIDE LAYERS ON GALLIUM ARSENIDE

OUTDIFFUSION THROUGH SILICON OXIDE AND SILICON NITRIDE LAYERS ON GALLIUM ARSENIDE
复制标题

通过砷化镓上的氧化硅和氮化硅层的外扩散

DOI：
--
复制
发表时间：
1970
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
V. Rodríguez
V. Rodríguez
中科院分区：
--
文献类型：
--
作者：
J. Gyulai;J. Mayer;I. V. Mitchell;V. Rodríguez

文献摘要

被引文献

相似文献

MeV 4He离子的背散射已被用于分析沉积在单晶GaAs衬底上的SiO2和Si3N4电介质层中的Ga和As含量。在750 ° C和800°C等温退火后，观察到杂质浓度和分布的变化。Ga向外扩散的证据是清楚的。
Backscattering of MeV 4He ions has been used to analyze the Ga and As content in SiO2 and Si3N4 dielectric layers deposited on single‐crystal GaAs substrates. Changes in impurity concentrations and distributions are seen after isothermal annealing at both 750 and 800°C. Evidence for Ga outdiffusion is clear.