Y.Takegawa: "Growth mode and characteristics of the O_2-oxidized Si(100)surface oxide layer observed by real time photoemission measurement"Jpn.J.Appl.Phys.. 37. 261-265 (1998)
Y.Takegawa: "Growth mode and characteristics of the O_2-oxidized Si(100)surface oxide layer observed by real time photoemission measurement"Jpn.J.Appl.Phys.. 37. 261-265 (1998)
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Y.Takekawa：“通过实时光电发射测量观察到的O_2-氧化的Si(100)表面氧化物层的生长模式和特征”Jpn.J.Appl.Phys.. 37. 261-265 (1998)
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