Near-surface GaAs/Ga0.7Al0.3As quantum wells: Interaction with the surface states.
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DOI:
10.1103/physrevb.41.12945
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发表时间:
1990-06
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
J. Moison;K. Elcess;F. Houzay;J. Marzin;J. Gérard;F. Barthe;M. Bensoussan
中科院分区:
文献类型:
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作者:
J. Moison;K. Elcess;F. Houzay;J. Marzin;J. Gérard;F. Barthe;M. Bensoussan
Etude par photoluminescence. Mise en evidence d'un couplage des etats confines avec les etats de surface localises pres des limites des bandes. Ceci confirme les effets de l'interface et du confinement sur les etats des electrons dans les systemes a basse dimension