Tunable exciton relaxation in vertically coupled semiconductor InAs quantum dots
Tunable exciton relaxation in vertically coupled semiconductor InAs quantum dots
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垂直耦合半导体 InAs 量子点中的可调谐激子弛豫
DOI：
10.1103/physrevb.84.081404
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发表时间：
2011
影响因子：
3.7
通讯作者：
E. Stinaff
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Wijesundara;J. E. Rolon;S. Ulloa;A. Bracker;D. Gammon;E. Stinaff
