InGaSb/InAsトポロジカル絶縁体を用いたゲート生成p-n接合の電気伝導特性
InGaSb/InAsトポロジカル絶縁体を用いたゲート生成p-n接合の電気伝導特性
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使用 InGaSb/InAs 拓扑绝缘体的栅极生成 p-n 结的导电特性
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
鈴木恭一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
木ノ原佑真;秋保貴史;入江宏;小野満恒二;村木康二;鈴木恭一
