T.Hashizume: "Surface Fermi level position and gap state distribution of InGaP surface grown by metal-organic vapor phase epitaxy"Applied Physics Letters. 81. 2382-2384 (2002)
T.Hashizume: "Surface Fermi level position and gap state distribution of InGaP surface grown by metal-organic vapor phase epitaxy"Applied Physics Letters. 81. 2382-2384 (2002)
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T.Hashizume：“金属有机气相外延生长的 InGaP 表面的表面费米能级位置和能隙态分布”应用物理快报。
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