Fabrication of III-V Nanowire-based Surrounding-Gate Transistors on Si Substrate
Fabrication of III-V Nanowire-based Surrounding-Gate Transistors on Si Substrate
复制标题
Si 衬底上基于 III-V 纳米线的环栅晶体管的制造
DOI：
--
复制
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Takashi Fukui
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Katsuhiro Tomioka;Junichi Motohisa;Shinjiroh Hara;Takashi Fukui
