低電子障壁TiN/Si コンタクトの形成とback-gate MOSFET への応用
低電子障壁TiN/Si コンタクトの形成とback-gate MOSFET への応用
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低电子势垒 TiN/Si 接触的形成及其在背栅 MOSFET 中的应用
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中島寛
中科院分区：
文献类型：
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作者：
朝川幸二朗;山本圭介;王冬;中島寛
