10 kV GaN Power Diodes and Transistors with Performance beyond SiC Limit
10 kV GaN Power Diodes and Transistors with Performance beyond SiC Limit
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性能超越 SiC 极限的 10 kV GaN 功率二极管和晶体管
DOI：
10.1109/edtm53872.2022.9797920
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Cheng, Kai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zhang, Yuhao;Xiao, Ming;Ma, Yunwei;Cheng, Kai
