再成長ソース/ドレインを有するInGaAsマルチゲートMOSFET作製プロセスに関する研究
再成長ソース/ドレインを有するInGaAsマルチゲートMOSFET作製プロセスに関する研究
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源漏再生InGaAs多栅MOSFET工艺研究
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
木下 治紀
中科院分区：
文献类型：
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作者：
飯田守;小山長規;角穴光;豊岡義和;山田誠;木下 治紀
