M. Shimozuma, N. Oda and H. Tagashira: "Silicon Nitride Deposition on Room temperature Substrate Using Low Frequency Plasma CVD." Proc. of 8th Int. Symp. on Plasma Xhemistry. 8-2. 1154-1159 (1987)
M. Shimozuma, N. Oda and H. Tagashira: "Silicon Nitride Deposition on Room temperature Substrate Using Low Frequency Plasma CVD." Proc. of 8th Int. Symp. on Plasma Xhemistry. 8-2. 1154-1159 (1987)
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M. Shimozuma、N. Oda 和 H. Tagashira：“使用低频等离子体 CVD 在室温基底上沉积氮化硅。”
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