MBEによるh-BNバッファ層を用いた(0001)サファイア基板上GaN成長
MBEによるh-BNバッファ層を用いた(0001)サファイア基板上GaN成長
复制标题
通过 MBE 使用 h-BN 缓冲层在 (0001) 蓝宝石衬底上生长 GaN
DOI：
--
复制
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
熊倉一英
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
小林康之;中田啓一;中澤日出樹;岡本浩;廣木正伸;熊倉一英
