Performance enhancement of Si MOSFETs using anti-ferroelectric thin films as gate insulators
Performance enhancement of Si MOSFETs using anti-ferroelectric thin films as gate insulators
复制标题
使用反铁电薄膜作为栅极绝缘体增强 Si MOSFET 的性能
DOI：
--
复制
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Yamaguchi;T. Gotow;M. Takenaka;S. Takagi
