MBE growth of quatemary InGaAsBi alloy", Jpn. J. Appl. Phys., Part I, Vol.45, pp.67-69, 2006
MBE growth of quatemary InGaAsBi alloy", Jpn. J. Appl. Phys., Part I, Vol.45, pp.67-69, 2006
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四元 InGaAsBi 合金的 MBE 生长”，Jpn. J. Appl. Phys.，第一部分，Vol.45，第 67-69 页，2006 年
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Horino
中科院分区：
文献类型：
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作者：
G.;Feng;M.;Yoshimoto;K.;Oe;A.m;Chayahara;Y.m;Horino
