Impact of Stacking Fault on x-ray Diffraction Linewidth in Nonpolar 4H-AlN Isopolytypically Grown on 4H-SiC
Impact of Stacking Fault on x-ray Diffraction Linewidth in Nonpolar 4H-AlN Isopolytypically Grown on 4H-SiC
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堆垛层错对 4H-SiC 上非极性 4H-AlN 同多型 X 射线衍射线宽的影响
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Suda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Horita;T. Kimoto;J. Suda
