Optical characterization of gallium-indium-oxide wide bandgap semiconductors for future device applications
Optical characterization of gallium-indium-oxide wide bandgap semiconductors for future device applications
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用于未来器件应用的氧化镓铟宽带隙半导体的光学表征
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
本田徹他3名
中科院分区：
文献类型：
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作者：
尾沼猛儀;佐藤光史;本田徹他3名
