Control of the interface and the film quality of SiO2 / GaN MOS by high pressure water vapor annealing
Control of the interface and the film quality of SiO2 / GaN MOS by high pressure water vapor annealing
复制标题
高压水蒸气退火控制SiO2/GaN MOS界面及薄膜质量
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yukiharu Uraoka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yuta Tominaga;Katsunori Ueno;Koji Yoshitsugu;Uenuma Mutsunori;Yuta Fujimoto;Yasuaki Ishikawa;Yukiharu Uraoka
