Effect of addition of elements in group IVB (C, Si, Ge, Sn) on polarity inversion of Scandium Aluminum Nitride (ScAlN) piezoelectric thin films
Effect of addition of elements in group IVB (C, Si, Ge, Sn) on polarity inversion of Scandium Aluminum Nitride (ScAlN) piezoelectric thin films
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添加IVB族元素（C、Si、Ge、Sn）对氮化钪铝（ScAlN）压电薄膜极性反转的影响
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Sri Ayu Anggraini
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shonosuke Kimura;Takuya Hoshii;Kuniyuki Kakushima;Hithoshi Wakabayashi;and Kazuo Tsutsui;Sri Ayu Anggraini
