Forward thermionic field emission current and barrier height lowering in heavily-doped 4H-SiC Schottky barrier diodes
Forward thermionic field emission current and barrier height lowering in heavily-doped 4H-SiC Schottky barrier diodes
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重掺杂 4H-SiC 肖特基势垒二极管中的正向热电子场发射电流和势垒高度降低
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Kimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Hara;S. Asada;T. Maeda;and T. Kimoto
