Investigation for Multilevel Memory Capability of ReRAM using Ta2O5-δ Insulator
Investigation for Multilevel Memory Capability of ReRAM using Ta2O5-δ Insulator
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使用 Ta2O5-δ 绝缘体的 ReRAM 多级存储能力研究
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Yasuo Takahashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yuanlin Li;Reon Katsumura;Mika Kristian Gro?nroos;Atsushi Tsurumaki-Fukuchi;Masashi Arita;Hideyuki Andoh;Takashi Morie;and Yasuo Takahashi
