Effective resistance modulation in VO2 by gating through hexagonal boron nitride
Effective resistance modulation in VO2 by gating through hexagonal boron nitride
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通过六方氮化硼选通有效调节 VO2 的电阻
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
田中秀和
中科院分区：
文献类型：
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作者：
安西勇人;山本真人;神吉輝夫;渡邊健司;谷口尚;田中秀和
