窒素をデルタドープしたGaAsにおける等電子束縛励起子微細構造の磁場制御
窒素をデルタドープしたGaAsにおける等電子束縛励起子微細構造の磁場制御
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氮δ掺杂GaAs中等电子束缚激子精细结构的磁场控制
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
原田幸弘
中科院分区：
文献类型：
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作者：
O. Kojima;T. Isu;J. Ishi-Hayase;M. Sasaki;M. Tsuchiya;小島磨;原田幸弘
