Effect of Nitrogen Source on Doping Properties of GaN:Eu Grown by MBE

Effect of Nitrogen Source on Doping Properties of GaN:Eu Grown by MBE
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氮源对 MBE 生长 GaN:Eu 掺杂性能的影响

DOI:
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发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
A.Wakahara
A.Wakahara
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
T.Suwa;Y.Takagi;H.Sekiguchi;H.Okada;A.Wakahara

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