Channel Strain Analysis in Damascene-gate pMOSFETs on Si(100)and(110)Substrate by Conventional and Cross-sectional Raman Spectroscopy
Channel Strain Analysis in Damascene-gate pMOSFETs on Si(100)and(110)Substrate by Conventional and Cross-sectional Raman Spectroscopy
复制标题
通过传统拉曼光谱和横截面拉曼光谱分析 Si(100) 和 (110) 衬底上镶嵌栅极 pMOSFET 的沟道应变
DOI：
--
复制
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Munehisa Takei
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
小手川恒;正木了;他4名;Daisuke Kosemura;Atsushi Ogura;小瀬村大亮;Daisuke Kosemura;小瀬村大亮;Daisuke Kosemura;Daisuke Kosemura;Munehisa Takei
