Improving the electrical performance of HfInZnO-TFI's by introducing a thin ITO interlayer
Improving the electrical performance of HfInZnO-TFI's by introducing a thin ITO interlayer
复制标题
通过引入薄 ITO 中间层提高 HfInZnO-TFI 的电气性能
DOI：
--
复制
发表时间：
2014
影响因子：
2.4
通讯作者：
Zhang, Zhi-Lin
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang, Jian-Hua;Zhu, Wen-Qing;Jiang, Xue-Yin;Zhang, Zhi-Lin
