Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of GaN Thin Films on Sapphire Substrates Using h-BN/AlN Buffer Layers
Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of GaN Thin Films on Sapphire Substrates Using h-BN/AlN Buffer Layers
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使用 h-BN/AlN 缓冲层在蓝宝石衬底上等离子体辅助分子束外延生长 GaN 薄膜
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Kumakura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Kobayashi;K. Nakata;H. Nakazawa;H. Okamoto;M. Hiroki;K. Kumakura
