Piezotronic Effect on the Transport Properties of GaN Nanobelts for Active Flexible Electronics
Piezotronic Effect on the Transport Properties of GaN Nanobelts for Active Flexible Electronics
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压电效应对主动柔性电子器件 GaN 纳米带输运性能的影响
DOI：
10.1002/adma.201201020
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发表时间：
2012-07-10
影响因子：
29.4
通讯作者：
Wang, Zhong Lin
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yu, Ruomeng;Dong, Lin;Wang, Zhong Lin
GaN纳米带（NB）的输运性质在GaN NB上施加压缩/拉伸应变时使用压电效应来调谐。这主要是由于肖特基势垒高度（SBH）的变化。提出了一个理论模型来解释所观察到的现象。
The transport properties of GaN nanobelts (NBs) are tuned using a piezotronic effect when a compressive/tensile strain is applied on the GaN NB. This is mainly due to a change in Schottky barrier height (SBH). A theoretical model is proposed to explain the observed phenomenon.