Effects of TiN Ruffer Layer Thickness on GaN Growth
Effects of TiN Ruffer Layer Thickness on GaN Growth
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TiN 缓冲层厚度对 GaN 生长的影响
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Hirata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Ito;Y. Uchida;S. Lee;S. Tsukimoto;Y. Ikemoto;K. Hirata
