Single‐pole double‐throw switches using capacitive MEMS switches
Single‐pole double‐throw switches using capacitive MEMS switches
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DOI：
10.1002/mmce.20019
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发表时间：
2004-07
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Malczewski;B. Pillans
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Malczewski;B. Pillans
本文介绍了两种使用 Raytheon 电容开关技术的基于 MEMS 的单刀双掷 (SPDT) 电路设计。其中一种使用串联并联拓扑来实现覆盖 5-24 GHz 的宽带操作，插入损耗小于 1 dB，隔离度为 25 dB。第二种设计采用谐振四分之一波长部分，以在 24-31 GHz 范围内实现低于 1 dB 的损耗。 © 2004 Wiley periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE 14: 383–387, 2004。
This article presents two MEMS‐based single‐pole double‐throw (SPDT) circuit designs using Raytheon's capacitive switch technology. One uses a series‐shunt topology for broadband operation covering 5–24 GHz with less than 1‐dB insertion loss and 25‐dB isolation. The second design employs resonant quarter‐wave sections to achieve loss below 1 dB across 24–31 GHz. © 2004 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE 14: 383–387, 2004.