p-Si/n-Ga2O3 heterostructures fabricated by surface-activated bonding
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复制标题
表面活化键合制备 p-Si/n-Ga2O3 异质结构
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Masataka Higashiwaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zhenwei Wang;Daiki Takatsuki;Jianbo Liang;Takahiro Kitada;Naoteru Shigekawa;and Masataka Higashiwaki
