First demonstration of W-band Tri-gate GaN-HEMT power amplifier MMIC with 30 dBm output power

First demonstration of W-band Tri-gate GaN-HEMT power amplifier MMIC with 30 dBm output power
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首次演示输出功率为 30 dBm 的 W 波段三栅极 GaN-HEMT 功率放大器 MMIC

DOI:
10.1109/mwsym.2017.8058452
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发表时间:
2017
期刊:
2017 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS)
影响因子:
--
通讯作者:
O. Ambacher
O. Ambacher
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
E. Ture;P. Brückner;R. Quay;M. Alsharef;R. Granzner;F. Schwierz;O. Ambacher

文献摘要

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