Experimental and Theoretical Analysis of In2O3-Ga2O3-ZnO Thin Film Transistors under Constant Voltage Stress
Experimental and Theoretical Analysis of In2O3-Ga2O3-ZnO Thin Film Transistors under Constant Voltage Stress
复制标题
恒压应力下In2O3-Ga2O3-ZnO薄膜晶体管的实验与理论分析
DOI：
--
复制
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J.Kwon
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M.Fujii;Y.Uraoka;T.Fuyuki;J.Jun;J.Kwon
