Atomic layer deposited solid sources for doping of high aspect ratio semiconductor structures
Atomic layer deposited solid sources for doping of high aspect ratio semiconductor structures
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用于高深宽比半导体结构掺杂的原子层沉积固体源
DOI：
10.1109/iwjt.2018.8330296
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
E.P. Burte
中科院分区：
文献类型：
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作者：
B. Kalkofen;M. Silinskas;M. Lisker;Y. S. Kim;E.P. Burte
