表面ラフネス散乱を抑制する為に電子谷の異方性を利用した極薄膜nMOSFETのチャネル材料と面方位の最適設計
表面ラフネス散乱を抑制する為に電子谷の異方性を利用した極薄膜nMOSFETのチャネル材料と面方位の最適設計
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利用电子谷各向异性抑制表面粗糙度散射的超薄膜nMOSFET沟道材料和表面取向优化设计
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
高木 信一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
隅田 圭;Chen Chia-Tsong;トープラサートポン カシディット;竹中 充;高木 信一
