Epitaxial GaAs Lift-off from Si(111) Wafer via 2D-GaSe Buffer Layer
Epitaxial GaAs Lift-off from Si(111) Wafer via 2D-GaSe Buffer Layer
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通过 2D-GaSe 缓冲层从 Si(111) 晶圆上剥离 GaAs 外延
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Masafumi Yamaguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Nobuaki Kojima;Yu-Cian Wang;Yoshio Ohshita;Masafumi Yamaguchi
