AlGaN/GaN MOSFETs with Al2O3 Gate Oxide Deposited by Atomic Layer Deposition
AlGaN/GaN MOSFETs with Al2O3 Gate Oxide Deposited by Atomic Layer Deposition
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采用原子层沉积法沉积 Al2O3 栅极氧化物的 AlGaN/GaN MOSFET
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Mizutani
中科院分区：
文献类型：
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作者：
E. Miyazaki;Y. Goda;S. Kishimoto;T. Mizutani
