Evidence for Non-Equilibrium Base Transport in Si and SiGe Bipolar Transistors at Cryogenic Temperatures
Evidence for Non-Equilibrium Base Transport in Si and SiGe Bipolar Transistors at Cryogenic Temperatures
复制标题
低温下 Si 和 SiGe 双极晶体管中非平衡基极输运的证据
DOI：
10.1016/0038-1101(95)00223-5
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发表时间：
1996
影响因子：
2
通讯作者：
R. Jaeger
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. M. Richey;A. Joseph;J. Cressler;R. Jaeger
