MBE-grown Si/SiGe HBTs with high beta , f/sub T/, and f/sub max/
MBE-grown Si/SiGe HBTs with high beta , f/sub T/, and f/sub max/
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MBE 生长的 Si/SiGe HBT 具有高 beta 、f/sub T/ 和 f/sub max/
DOI：
10.1109/55.145022
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发表时间：
1992
影响因子：
4.9
通讯作者：
E. Kasper
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Gruhle;H. Kibbel;U. Konig;U. Erben;E. Kasper
Si/SiGe 异质结双极晶体管 (HBT) 是通过分子束外延 (MBE) 生长完整的层结构来制造的。 2*10/sup 19/ cm/sup -3/ 的典型基极掺杂大大超过了发射极杂质水平，导致薄层电阻约为 1 k Omega/Square Operator。这些器件具有 500V 的早期电压和 550 的最大室温电流增益，在 77 K 时升至 13000。在埋层衬底上构建的器件的 f/sub max/ 为 40 GHz。传输频率达到42 GHz。<<ETX>>
Si/SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs) were fabricated by growing the complete layer structure with molecular beam epitaxy (MBE). The typical base doping of 2*10/sup 19/ cm/sup -3/ largely exceeded the emitter impurity level and led to sheet resistances of about 1 k Omega / Square Operator . The devices exhibited a 500-V Early voltage and a maximum room-temperature current gain of 550, rising to 13000 at 77 K. Devices built on buried-layer substrates had an f/sub max/ of 40 GHz. The transit frequency reached 42 GHz.<<ETX>>