Si(110)基板上SiGe膜の歪み緩和におけるイオン注入の効果
Si(110)基板上SiGe膜の歪み緩和におけるイオン注入の効果
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离子注入对Si(110)衬底上SiGe薄膜应变弛豫的影响
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
澤野憲太郎
中科院分区：
文献类型：
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作者：
加藤まどか;村上太陽;有元圭介;山中淳二;中川清和;澤野憲太郎
