Y.Ishikawa: "Creation of (110)-aligned Si quantum wires encompassed by SiO_2 using low-energy separation-by-implanted-oxygen on a V-groove patterned substrate" Applied Physics Letters. 72. 2592-2594 (1998)
Y.Ishikawa: "Creation of (110)-aligned Si quantum wires encompassed by SiO_2 using low-energy separation-by-implanted-oxygen on a V-groove patterned substrate" Applied Physics Letters. 72. 2592-2594 (1998)
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Y.Ishikawa：“在 V 形槽图案化基板上使用注入氧的低能分离，创建由 SiO_2 包围的 (110) 排列的 Si 量子线”《应用物理快报》。
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