Y.Mizuhara, J.Kato, T.Nagatomi, Y.Takai, M.Inoue: "Analysis of Dopant Concentration in Semiconductor Using Secondary Election Method"Japanese Journal, of Applied Physics. Vol.42 Part 2 No.6B. L709-L711 (2003)
Y.Mizuhara, J.Kato, T.Nagatomi, Y.Takai, M.Inoue: "Analysis of Dopant Concentration in Semiconductor Using Secondary Election Method"Japanese Journal, of Applied Physics. Vol.42 Part 2 No.6B. L709-L711 (2003)
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Y.Mizuhara、J.Kato、T.Nagatomi、Y.Takai、M.Inoue：“使用二次选择法分析半导体中的掺杂剂浓度”日本应用物理学杂志。
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