T.Kawai: "Initial growth mechanism of AlAs on Si(111) by molecular beam epitaxy" Appl.Phys.Lett.59. 2983-2985 (1991)
T.Kawai: "Initial growth mechanism of AlAs on Si(111) by molecular beam epitaxy" Appl.Phys.Lett.59. 2983-2985 (1991)
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T.Kawai：“通过分子束外延在 Si(111) 上进行 AlAs 的初始生长机制”Appl.Phys.Lett.59。
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